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RSM2301P	文件：465.56 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RTM2301	文件：187.77 Kbytes Page：4 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
RTM2301CX	文件：187.77 Kbytes Page：4 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
RTM2301CX	文件：465.63 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
S2301	文件：1.02155 Mbytes Page：13 Pages	N-channelSiCpowerMOSFETbaredie	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
S2301	文件：870.18 Kbytes Page：12 Pages	N-channelSiCpowerMOSFETbaredie	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
SD2301	文件：464.68 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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SDB2301F	文件：37.19 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode Features ?LowVF:Max.0.45V@IF=1A ?Forswitchingpowersupply	AUK AUK corp	AUK
SE2301	文件：434.57 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
SGM2301	文件：349.17 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SI2301	文件：242.42 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?-20V,-2.8A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V RDS(ON)=150mΩ@VGS=-2.5V ?HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Ruggedandreliable ?HighSpeedSwitching ?SOT-23Package ?MarkingCode:S1 ?Epox	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SI2301	文件：330.46 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SI2301	文件：289.62 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMosfets Plastic-EncapsulateMosfets FEATURES ?HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Ruggedandreliable ?CaseMaterial:MoldedPlastic.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
SI2301	文件：109.86 Kbytes Page：3 Pages	HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) Plastic-EncapsulateMosfets FEATURES ?HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Ruggedandreliable ?CaseMaterial:MoldedPlastic.	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半導(dǎo)體美科半導(dǎo)體股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
SI2301	文件：728.09 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage Descriptions P-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features TrenchFETPowerMOSFET100RgTested. Applications Primarilythedisplayscreendriveapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
SI2301	文件：377.17 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Feature ●-20V/-3A,RDS(ON)=120mΩ(MAX)@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mΩ(MAX)@VGS=-2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ●ReliableandRugged ●SOT-23forSurfaceMountPackage Applications ●PowerManagement PortableEquipmentandBattery	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
SI2301A	文件：285.47 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SI2301A	文件：773.29 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
SI2301A	文件：638.05 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI

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