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RTM2302	文件：187.22 Kbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ◇Advancedtrenchprocesstechnology ◇Highdensitycelldesignforultralowon-resistance ◇Excellentthermalandelectricalcapabilities ◇CompactandlowprofileSOT-23package	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
RTM2302CX	文件：187.22 Kbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ◇Advancedtrenchprocesstechnology ◇Highdensitycelldesignforultralowon-resistance ◇Excellentthermalandelectricalcapabilities ◇CompactandlowprofileSOT-23package	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司	SIRECT
SBB-2302	文件：85.86 Kbytes Page：2 Pages	Perma-Seal??PiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
SE2302	文件：388.95 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
SE2302	文件：567.04 Kbytes Page：9 Pages	ThyristorSurgeSuppressors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
SFH2302	文件：230.77 Kbytes Page：6 Pages	SchnellePIN-FotodiodeHighSpeedPIN-Photodiode	OSRAMOSRAM GmbH 艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體	OSRAM
SFH-2302	文件：230.77 Kbytes Page：6 Pages	SchnellePIN-Fotodiode	OSRAMOSRAM GmbH 艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體	OSRAM
SI2302	文件：266.42 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SI2302	文件：4.06584 Mbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=20V RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@3.6A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
SI2302	文件：168.38 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?20V,3.0A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V ?HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Ruggedandreliable ?Leadfreeproductisacquired ?SOT-23Package ?MarkingCode:S2 ?Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SI2302	文件：832.45 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司	CHENDA
SI2302	文件：468.33 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage DESCRIPTIONS N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. FEATURES SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON),SOT-23package. APPLICATIONS Batterymanagement,Highspeedswitch,lowpowerDCtoDCconverter.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
SI2302	文件：413.07 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Feature ●16V/3.6A,RDS(ON)=100mΩ(MAX)@VGS=4.5V. RDS(ON)=140mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOT-23forSurfaceMountPackage. Applications ●PowerManagementPortableEquipmenta	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
SI2302	文件：1.16669 Mbytes Page：6 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司	CHENDA
SI2302	文件：285.33 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET N-ChannelEnhancementMOSFET ■FEATURES TrenchFETPowerMOSFET	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
SI2302	文件：272.55 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMosfets FEATURES ?HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ?Ruggedandreliable ?CaseMaterial:MoldedPlastic.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
SI2302A	文件：315.46 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ?RuggedandReliable ?LeadFreeProductisAcquired ?HighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?MoistureSensitivityLevel1 ?HalogenFreeAvailableUponRequestbyAddingSuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
SI2302A	文件：1.8694 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
SI2302A	文件：1.24007 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
SI2302ADS	文件：56.69 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel1.25-W,2.5-VMOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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更多RSM2302A供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 8:21:00

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