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TRS20N120HB

Marking：S20N120HB；Package：TO-247；SiC Schottky Barrier Diode

Applications ?PowerFactorCorrection ?SolarInverters ?UninterruptiblePowerSupplies ?DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF(PerLeg)=1.27V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc(PerLeg)=57nC(typ.) (4)Lowreversecurre

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多S20N120HB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-20 15:00:00

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