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SCTW100N120G2AG

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package

Features ?AEC-Q101qualified ?Highspeedswitchingperformance ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Lowcapacitances ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) Applications ?Tractionforinverters ?DC-DCconverters ?Solarinverters ?OBC Descriptio

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

SCTH100N120G2-AG

Automotive-gradesiliconcarbidePowerMOSFET,1200V,75A,30mΩ(typ.,TJ=25°C)inanH2PAK-7package

Features ?AEC-Q101qualified ?Highspeedswitchingperformance ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Lowcapacitance Applications ?Tractioninverters ?DC-DCconverters ?Solarinverters ?OBC Description ThissiliconcarbidePowerMOSFETdevicehasbeendevelopedusingS

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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STMICROELECTRONICS
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更多SCTW100N120G2AG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-14 16:21:00

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