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SCTW70N120G2V中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SCTW70N120G2V
廠商型號

SCTW70N120G2V

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A in an HiP247 package

絲印標識

SCT70N120G2

封裝外殼

HiP247

文件大小

209.88 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-2 23:00:00

SCTW70N120G2V規(guī)格書詳情

Features

? Very fast and robust intrinsic body diode

? Extremely low gate charge and input capacitance

? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications

? Switching mode power supply

? DC-DC converters

? Industrial motor control

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
23+
NA/
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