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SD12-102

High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors

[COOPERBussmann] Description ?Sixsizesofshieldeddrumcoreinductorswithlowprofiles(aslowas1.0mm)andhighpowerdensity ?Inductancerangefrom.47uHto1000uH ?Currentrangefrom6.00to0.088Amps ?Ferriteshielded,lowEMI Applications ?Digitalcameras,

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SD12-150

High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors

[COOPERBussmann] Description ?Sixsizesofshieldeddrumcoreinductorswithlowprofiles(aslowas1.0mm)andhighpowerdensity ?Inductancerangefrom.47uHto1000uH ?Currentrangefrom6.00to0.088Amps ?Ferriteshielded,lowEMI Applications ?Digitalcameras,

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SD12-151

High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors

[COOPERBussmann] Description ?Sixsizesofshieldeddrumcoreinductorswithlowprofiles(aslowas1.0mm)andhighpowerdensity ?Inductancerangefrom.47uHto1000uH ?Currentrangefrom6.00to0.088Amps ?Ferriteshielded,lowEMI Applications ?Digitalcameras,

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SD1219

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheSD1219isDesignedfor12.5VCollectorModulatedAMClassCAmplifierServiceinthe118to136MHzAvionicsCommunicationBand. FEATURES: ?PG=8dBTypicalat60W/175MHz ?Guaranteed13.5and28VPerformance ?Omnirel?MetallizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

SD12-1R2

High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors

[COOPERBussmann] Description ?Sixsizesofshieldeddrumcoreinductorswithlowprofiles(aslowas1.0mm)andhighpowerdensity ?Inductancerangefrom.47uHto1000uH ?Currentrangefrom6.00to0.088Amps ?Ferriteshielded,lowEMI Applications ?Digitalcameras,

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SD12-1R5

High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors

[COOPERBussmann] Description ?Sixsizesofshieldeddrumcoreinductorswithlowprofiles(aslowas1.0mm)andhighpowerdensity ?Inductancerangefrom.47uHto1000uH ?Currentrangefrom6.00to0.088Amps ?Ferriteshielded,lowEMI Applications ?Digitalcameras,

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SD12-220

High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors

[COOPERBussmann] Description ?Sixsizesofshieldeddrumcoreinductorswithlowprofiles(aslowas1.0mm)andhighpowerdensity ?Inductancerangefrom.47uHto1000uH ?Currentrangefrom6.00to0.088Amps ?Ferriteshielded,lowEMI Applications ?Digitalcameras,

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SD12-221

High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors

[COOPERBussmann] Description ?Sixsizesofshieldeddrumcoreinductorswithlowprofiles(aslowas1.0mm)andhighpowerdensity ?Inductancerangefrom.47uHto1000uH ?Currentrangefrom6.00to0.088Amps ?Ferriteshielded,lowEMI Applications ?Digitalcameras,

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SD1224

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

DESCRIPTION TheSD1224isanepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyfor28VFMClassCRFamplifiersutilizedingroundstationtransmitters.Thisdeviceutilizesballastedemitterresistorsandimprovedmetallizationsystemstoachieveoptimumloadmismatchcapability.

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

SD1224

RF AND MICROWAVE TRANSISTORS

DESCRIPTION: TheSD1224isanepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyfor28VFMClassCRFamplifiersutilizedingroundstationtransmitters.Thisdeviceutilizesballastedemitterresistorsandimprovedmetallizationsystemstoachieveoptimumloadmismatchcapability.

ADPOW

Advanced Power Technology

晶體管資料

  • 型號：

    SD1219

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    甚高頻 （VHF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    65V

  • 最大電流允許值：

    6.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    3DA73B,

  • 最大耗散功率：

    75W

  • 放大倍數(shù)：

    β>5

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    65

  • htest：

    999900

  • atest：

    6.5

  • wtest：

    75

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    SD12

  • 制造商：

    SMC Diode Solutions

  • 類別：

    電路保護 > TVS - 二極管

  • 系列：

    SDxx

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 類型：

    齊納

  • 電壓 - 反向斷態(tài)（典型值）：

    12V（最大）

  • 電壓 - 擊穿（最小值）：

    13.3V

  • 不同 Ipp 時電壓 - 箝位（最大值）：

    25V

  • 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs)：

    15A（8/20μs）

  • 功率 - 峰值脈沖：

    350W

  • 電源線路保護：

    無

  • 應(yīng)用：

    通用

  • 不同頻率時電容：

    150pF @ 1MHz（最大）

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-76，SOD-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOD-323

  • 描述：

    TVS ARRAY 12V SOD-323

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