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SGB8206ANT4G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 IGBT 20A, 350V, N-CH艾宇特電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SGB8206ANT4G
- 功能描述:
IGBT 晶體管 IGBT 20A, 350V, N-CH
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市艾宇特電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李 先生
- 手機(jī):
15817287769
- 詢價:
- 電話:
0755-83224028/83201767
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路101號華勻1棟5樓B14
相近型號
- SGB8206NNT4G
- SGB7212ABBA06P1-SD
- SGB8206NSL3G
- SGB6533ZSR
- SGB8206NT4G
- SGB6533Z
- SGB8850200
- SGB-6533
- SGB8890200
- SGB6533
- SGB963360E
- SGB64Z
- SGB965360E
- SGB-6433Z-EVB1
- SGBC847BDW1T3G
- SGB-6433Z
- SGBC847BPDW1T3G
- SGB6433Z
- SGBC856BDW1T3G
- SGB-6433
- S-GBJ1006F
- SGB6433
- S-GBJ1006F-TU-LT
- SGB601M
- S-GBJ1008F-TU-LT
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- S-GBJ1508F-TU-LT
- SGB-4633
- S-GBJ1510F-TU-LT
- SGBJ1512
- SGBJ15K
- SGB4533ZSR
- S-GBJ2008F-TU-LT
- SGB-4533Z
- SGBJ2508
- SGB4533Z
- S-GBJ2508F
- SGB-4533
- SGBJ2510
- SGB4533
- S-GBJ2510F-TU-LT
- SGB4333ZSR
- SGBJ2512
- SGB4333Z
- SGBJ2516
- SGB4333SR
- SGBJ25K
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