首頁>SGB8206ANTF4G>芯片詳情

SGB8206ANTF4G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 IGBT 20A, 350V, N-CH富芯拓展電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SGB8206ANTF4G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫存數(shù)量：

    199

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    14+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-8 12:23:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SGB8206ANTF4G品牌：ON

全新原裝只做自己庫存只做原裝

  • 芯片型號(hào)：

    SGB8206ANTF4G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IGBT 晶體管 IGBT 20A, 350V, N-CH

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SGB8206ANTF4G

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IGBT 20A, 350V, N-CH

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市富芯拓展電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    顏冰穎

  • 手機(jī)：

    13510159123

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88377616

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富街道中航路新亞洲電子商城一期4C034房

相近型號(hào)