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首頁>SI1405DL-T1-E3>芯片詳情
SI1405DL-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 8V 1.8A航宇科工集團
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI1405DL-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 8V 1.8A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機:
13027918281
- 詢價:
- 電話:
13027918281
- 傳真:
0755-83790563
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟西10層A區(qū)10A08室
相近型號
- SI1410EDH-T1-E3
- SI1410EDH-T1-GE3
- SI1403BDL-T1-E3
- SI1403BDL-T1-BE3
- SI1411DH
- SI1401EDH-T1-GE3
- SI1411DH-T1-BE3
- SI1401EDH-T1-BE3
- SI1401EDH
- SI1411DH-T1-GE3
- SI1413EDH-T1
- SI1400DL-T1-GE3
- SI1400DL-T1-E3
- SI1414DH-T1-GE3
- SI-1340H
- SI1416EDH
- SI1330EDL-T1-GE3
- SI1416EDH-T1-BE3
- SI1330EDL-T1-E3
- SI1416EDH-T1-GE3
- SI1330EDL-T1-BE3
- SI1417DH-T1-E3
- SI1330EDL
- SI1417DH-T1-GE3
- SI1417EDH
- SI1317DL-T1-GE3
- SI1417EDH-T1
- SI1417EDH-T1-E3
- SI1317DL
- SI1417EDH-T1-GE3
- SI1315DL-T1-GE3
- SI1308EDL-T1-GE3
- SI1422DH-T1-GE3
- SI1308EDLT1GE3
- SI1424EDH
- SI1424EDH-T1-BE3
- SI1308EDL-T1-E3
- SI1424EDH-T1-GE3
- SI1308EDL-T1-BE3
- SI1308EDL
- SI1307EDL-T1-GE3
- SI1426DH-T1-E2
- SI1426DH-T1-GE3
- SI1307EDL-T1-E3
- SI1427EDH-T1-BE3
- SI1307DL-T1-GE3
- SI1427EDH-T1-GE3
- SI1307-DL-T1-E3
- SI1307DL-T1
- SI1305EDL-T1-E3