首頁>SI1413EDH-T1>芯片詳情

SI1413EDH-T1_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 2.9A凌旭科技二部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SI1413EDH-T1

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY

  • 庫存數(shù)量：

    9000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT23-6

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2016+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-23 8:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SI1413EDH-T1品牌：VISHAY

只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!

  • 芯片型號(hào)：

    SI1413EDH-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    1060.46 kb

  • 資料說明：

    P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI1413EDH-T1

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 2.9A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市凌旭科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    謝先生

  • 手機(jī)：

    13682335883

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83221677

  • 傳真：

    0755-83234215

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)501棟407

相近型號(hào)