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首頁>SI1912EDH-T1-E3>芯片詳情
SI1912EDH-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 1.28A英科美電子
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SI1912EDH-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 1.28A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市英科美電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機(jī):
15507502698
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-23903058
- 傳真:
0755-23905869
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟730
相近型號
- SI19132CBU
- SI1912
- SI19134CTU
- SI1910DL-T1-GE3
- SI19135CTU
- SI1910DL-T1-E3
- SI1913DH-T1
- SI1909DL-T1-GE3
- SI1913DHT1E3
- SI1909DL-T1-E3
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- SI1908DL-T1-GE3
- SI1908DL-T1-E3
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- SI1907DL-T1-GE3
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- SI1913EDH
- SI1907DL-T1
- SI1913EDH1
- SI1907DL
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- SI1906DV-T1
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- SI1906DL-T1-GE3
- SI1917DH-T1-E3
- SI1906DL-T1-E3
- SI1917EDH
- SI1917EDH-T1
- SI1906DL-T1(PCH0)
- SI1917EDHT1E3
- SI1906DL-T1
- SI1917EDH-T1-E3
- SI1906DL
- SI1905EDH-T1-GE3
- SI1917EDHT1GE3
- SI1905EDH-T1-E3
- SI1917EDH-T1-GE3
- SI1905DLV-T1
- SI1917EDH-T1-GE3-VB
- SI1905DL-T1-GE3
- SI1917EDH-T1IC
- SI1905DL-T1-E3IC
- SI19181
- SI1905DL-T1-E3/BKN
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- SI1905DL-T1-E3
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