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SI4410DYTRPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
SI4410DYTRPBF規(guī)格書詳情
Description
This N-channel HEXFET? Power MOSFET is produced using International Rectifiers advanced HEXFET power MOSFET technology. The low onresistance and low gate charge inherent to this technology make this device ideal for low voltage or battery driven power conversion applications.
The SO-8 package with copper leadframe offers enhanced thermal characteristics that allow power dissipation of greater that 800mW in typical board mount applications.
● N-Channel MOSFET
● Low On-Resistance
● Low Gate Charge
● Surface Mount
● Logic Level Drive
● Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI4410DYTRPBF
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
SOP8 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
NA/ |
16597 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
SMD8 |
35200 |
一級(jí)代理分銷/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | ||
IR |
8 |
03 |
315 |
詢價(jià) | |||
IR |
SOP8 |
33969 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
SOP-8 |
500747 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
SOIC-8_150mil |
25630 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
SOIC-8_150mil |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
SOP-8 |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
SOIC-8_150mil |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) |
