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SI4435DYTRPBF

UltraLowOn-Resistance

VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei

IRF

International Rectifier

SI4435FDY

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SM4435KC-TRL

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

SPP4435

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

SPP4435B

P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

SPP4435B

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

SPP4435W

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

SQ4435EY

AutomotiveP-Channel30V(D-S)175°CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQ4435EY

AutomotiveP-Channel30V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQ4435EY

AutomotiveP-Channel30V(D-S)175?CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數

  • 型號:

    SI4435DY-REVA

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 8A 2.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
SOP-8P
2418
本站現(xiàn)貨庫存
詢價
VISHAY/威世
18+
SOP8
12500
全新原裝正品,本司專業(yè)配單,大單小單都配
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原廠授權一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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SILICONIX
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NA
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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SOP-8
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終端可免費供樣,支持BOM配單
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SOP-8
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更多SI4435DY-REVA供應商 更新時間2025-2-25 16:00:00