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SI5908DC-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SI5908DC-T1-GE3
廠商型號(hào)

SI5908DC-T1-GE3

功能描述

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.10529 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-20 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI5908DC-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 1206-8

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    TrenchFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Vishay(威世)
23+
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