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SI7613DN-T1-GE3_TI/德州儀器_MOSFET 20V 35A 52.1W 8.7mohm @ 10V鵬錦翔科技1部

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  • 廠家型號：

    SI7613DN-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TI

  • 庫存數(shù)量：

    39890

  • 產(chǎn)品封裝：

    DFN

  • 生產(chǎn)批號：

    21+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-8-2 9:54:00

  • 詳細信息
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原廠料號：SI7613DN-T1-GE3品牌：TI

全新原裝現(xiàn)貨 假一賠十

  • 芯片型號：

    SI7613DN-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大小：

    602.8 kb

  • 資料說明：

    P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI7613DN-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 35A 52.1W 8.7mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬錦翔科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張經(jīng)理

  • 詢價：
  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北新欣大廈B座320

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