SPB80P06P中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
SPB80P06P |
| 功能描述 | isc P-Channel MOSFET Transistor |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-263 |
| 文件大小 |
297.89 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
ISC【無(wú)錫固電】 |
| 中文名稱(chēng) | 無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-25 11:29:00 |
| 人工找貨 | SPB80P06P價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SPB80P06P
- 功能描述：
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
- RoHS：
否
- 類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
SIPMOS®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1816+ |
. |
6523 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
SOT-263 |
17410 |
原裝進(jìn)口假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-263 |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO263 |
2750 |
只做原裝公司現(xiàn)貨! |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
PG-TO263-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
BGA |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEO |
2020+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
56000 |
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) |
