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CJP07N20

PowerFiledEffectTransistor

FEATURES ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ●DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ●IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

ISPD07N20G

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.4? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPD07N20

SIPMOS?PowerTransistorFeaturesNchannelEnhancementmodeAvalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD07N20

SIPMOSPowerTransistor

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD07N20G

N-Channel200V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPD07N20G

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.4? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPD07N20G

SIPMOS?PowerTransistorFeaturesNchannelEnhancementmodeAvalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPU07N20

SIPMOSPowerTransistor

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPU07N20G

SIPMOS?PowerTransistorFeaturesNchannelEnhancementmodeAvalancherated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPU07N20G

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-251(IPAK)packaging ?Highspeedswitching ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?DC-DCconverters ?Motorcontrol ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

WSF07N20

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SPD07N20 G

  • 功能描述：

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INF
23+
TO-252
5000
原裝正品,假一罰十
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24+
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INFINEON
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TO252
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只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫(kù)存放心
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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infineon
18+
TO-252
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)
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20+
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65790
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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更多SPD07N20 G供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 15:36:00

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