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SPW11N60S5

isc N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤380m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPW11N60S5

Cool MOS??Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPW11N60S5

Cool MOS??Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPW11N60S5_08

Cool MOS??Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

11N60S5

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

11N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

CoolMOS?PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

ISPW11N60S5

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤380m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPB11N60S5

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPB11N60S5

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPB11N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

CoolMOS?PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SPW11N60S5

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
英飛凌
2020+
TO247
9880
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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英飛翎
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TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
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TO-247
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詢價
Infineon
23+
TO-247
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
INF
16+
TO-3P
10000
全新原裝現(xiàn)貨
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Infineon
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NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
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更多SPW11N60S5供應(yīng)商 更新時間2025-5-8 15:58:00

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