STB26NM60ND中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	STB26NM60ND
功能描述	isc N-Channel MOSFET Transistor
文件大小	314.2 Kbytes
頁面數(shù)量	2 頁
生產(chǎn)廠商	Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱	ISC【無錫固電】
中文名稱	無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
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更新時間	2024-12-28 11:00:00

DESCRIPTION

? Low Drain-Source On-Resistance

FEATURES

? Drain Current –ID=21A@ TC=25℃

? Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min)

? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 175mΩ (Max)

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Switching application

型號：
STB26NM60ND
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Tape and Reel
功能描述：
N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Cut TR(SOS)
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
功能描述：
600V, 0.144OHM, 21A, POWERFET W/ FAST DIODE, N-CHANNEL, D2PAK
功能描述：
Single N-Channel 600 V 0.175 Ohm 190 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3

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