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STB26NM60ND中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
STB26NM60ND規(guī)格書詳情
Description
These FDmesh? II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Features
? 100 avalanche tested
? Low input capacitance and gate charge
? Low gate input resistance
? Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Applications
? Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
STB26NM60ND
- 制造商：
STMicroelectronics
- 功能描述：
N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Tape and Reel
- 功能描述：
N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Cut TR(SOS)
- 功能描述：
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- 功能描述：
600V, 0.144OHM, 21A, POWERFET W/ FAST DIODE, N-CHANNEL, D2PAK
- 功能描述：
Single N-Channel 600 V 0.175 Ohm 190 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
SOP-8 |
69820 |
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
98000 |
詢價(jià) | ||||
ST |
TO-263 |
93480 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ST |
14+PBF |
TO-263 |
100 |
現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
22 |
TO-263 |
25000 |
3月31原裝,微信報(bào)價(jià) |
詢價(jià) | ||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | |||
STMicroelectronics |
18+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) |
