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STD30NE06LT4

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

STD30NE06LT4

N-CHANNEL60V-0.025ohm-30ATO-252

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize?strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemark

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團

詳細參數(shù)

  • 型號:

    STB30NE06LT4

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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更多STB30NE06LT4供應(yīng)商 更新時間2024-11-16 9:18:00