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STG200G65FD8AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STG200G65FD8AG |
| 功能描述 | Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 200 A, high-efficiency M series IGBT die in D8 packing |
| 文件大小 |
505.07 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-28 9:48:00 |
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STG200G65FD8AG規(guī)格書詳情
Features
? AEC-Q101 qualified
? Low-loss series IGBT
? Low VCE(sat) = 1.52 V (typ.) at IC = 200 A
? Positive VCE(sat) temperature coefficient
? Tight parameter distribution
? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Applications
? EV/HEV traction inverters
Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop
structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal
balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and
the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)
temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling
operation.
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI/臺(tái)灣微碧 |
23+ |
TSSOP8 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
SEC |
24+ |
NA/ |
57 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
BGA |
2140 |
全新原裝!現(xiàn)貨特價(jià)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
SAMSUNG |
NA |
8560 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
SAMHOP/三合微科 |
23+ |
TSSOP8 |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
ST |
13+ |
TO-3P |
15 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
Sage Millmeter |
24+ |
模塊 |
400 |
詢價(jià) | |||
VBsemi |
24+ |
TSSOP8 |
18000 |
原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) | ||
SEMTECH |
24+ |
SC70-6L |
37500 |
原裝正品現(xiàn)貨,價(jià)格有優(yōu)勢! |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
22+23+ |
TSSOP8 |
8000 |
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口 |
詢價(jià) |
