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STG200G65FD8AG

Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 200 A, high-efficiency M series IGBT die in D8 packing

Features ?AEC-Q101qualified ?Low-lossseriesIGBT ?LowVCE(sat)=1.52V(typ.)atIC=200A ?PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient ?Tightparameterdistribution ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C Applications ?EV/HEVtractioninverters Description Thisdeviceis

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多STG200G65FD8AG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 17:07:00

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