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STGB10NC60HDT4

600 V - 10 A - very fast IGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGB10NC60HDT4

600 V - 10 A - very fast IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGD10NC60HDT4

600V-10A-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGD10NC60HDT4

600V-10A-veryfastIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    STGB10NC60HDT4

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 N Ch 10A 600V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ST/意法
24+
NA
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
ST/意法
17+
D2PAK
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
STMicro.
23+
DPAK
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
ST
24+
TO-263
7500
詢價(jià)
STMicroel
TO263
10265
提供BOM表配單只做原裝貨值得信賴
 詢價(jià)
STMicroelectronics
18+
NA
3055
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
 詢價(jià)
STM
1816+
TO-263
6523
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
 詢價(jià)
ST
14+
TO263
638
向鴻原裝正品/代理渠道/現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
STM
2020+
TO263
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
更多STGB10NC60HDT4供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-24 9:35:00

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