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STGD10NC60HDT4分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD10NC60HDT4
廠商型號

STGD10NC60HDT4

參數(shù)屬性

STGD10NC60HDT4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A 62W D2PAK

功能描述

600 V - 10 A - very fast IGBT
IGBT 600V 20A 62W D2PAK

絲印標識

GD10NC60HD

封裝外殼

DPAK / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

771.12 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 14:30:00

STGD10NC60HDT4規(guī)格書詳情

STGD10NC60HDT4屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGD10NC60HDT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH?

process resulting in an excellent trade-off

between switching performance and low on-state

behavior.

Features

■ Low on-voltage drop (VCE(sat))

■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction

susceptibility)

■ Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

Applications

■ High frequency motor controls

■ SMPS and PFC in both hard switch and

resonant topologies

■ Motor drivers

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGD10NC60HDT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,5A

  • 開關能量:

    31.8μJ(開),95μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    14.2ns/72ns

  • 測試條件:

    390V,5A,10歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 62W D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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