訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁(yè)>STGB20NB41LZT4>芯片詳情
STGB20NB41LZT4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):STGB20NB41LZT4品牌:ST
專(zhuān)注原裝正品代理分銷(xiāo),認(rèn)準(zhǔn)水星電子
STGB20NB41LZT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-263-3/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的STGB20NB41LZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGB20NB41LZT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類(lèi)別:
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 4.5V,20A
- 開(kāi)關(guān)能量:
5mJ(開(kāi)),12.9mJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
1μs/12.1μs
- 測(cè)試條件:
320V,20A,1 千歐,5V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
D2PAK
- 描述:
IGBT 442V 40A 200W D2PAK
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市水星電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機(jī):
13632880560
- 詢(xún)價(jià):
- 電話:
0755-89585609
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)平湖街道禾花社區(qū)華南大道1號(hào)華南國(guó)際印刷紙品包裝物流區(qū)二期2號(hào)樓B1C177
相近型號(hào)
- STGB20NB32LZT4
- STGB25N36LZAG
- STGB20NB32LZ-1
- STGB25N40LZAG
- STGB30H60DF
- STGB20NB32LZ
- STGB30H60DFB
- STGB20NB321LZ
- STGB30H60DFGB30H60DF
- STGB20N45LZAGIC
- STGB30H60DLFB
- STGB20N45LZAG
- STGB30H60DLLFBAG
- STGB20N45LZ
- STGB30H65DFB2
- STGB20N40LZ
- STGB30H65FB
- STGB30M65DF2
- STGB20M65DF2IC
- STGB20M65DF2
- STGB30NC60K
- STGB20H65FB2
- STGB30NC60KT4
- STGB20H65DFB2
- STGB30NC60W
- STGB20H60DFGB20H60DF
- STGB30NC60WT4
- STGB20H60DF
- STGB30V60DF
- STGB2012-601PT
- STGB2012-600PT
- STGB30V60F
- STGB2012-470PT
- STGB3216-050PT
- STGB2012-360PT
- STGB3216-121PT
- STGB2012-301PT
- STGB3216-221PT
- STGB2012-300PT
- STGB3216-300PT
- STGB2012-221PT
- STGB35N35LZ
- STGB2012-190PT
- STGB35N35LZ1
- STGB2012-151PT
- STGB35N35LZ-1
- STGB2012-121PT
- STGB35N35LZT4
- STGB2012-102PT
- STGB2012-050PT