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STGP10M65DF2分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGP10M65DF2
廠商型號

STGP10M65DF2

參數屬性

STGP10M65DF2 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 650V 10A TO-220AB

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss
IGBT 650V 10A TO-220AB

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

945.33 Kbytes

頁面數量

18

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
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更新時間

2025-5-4 10:34:00

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STGP10M65DF2規(guī)格書詳情

STGP10M65DF2屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGP10M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGP10M65DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,10A

  • 開關能量:

    120μJ(開),270μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    19ns/91ns

  • 測試條件:

    400V,10A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 650V 10A TO-220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
21+
TO-220
23480
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ST
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TO220
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