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STGP10M65DF2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
STGP10M65DF2 |
| 參數(shù)屬性 | STGP10M65DF2 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 10A TO-220AB |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss |
| 文件大小 |
945.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-24 23:00:00 |
STGP10M65DF2規(guī)格書詳情
STGP10M65DF2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGP10M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
STGP10M65DF2
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，10A
- 開關(guān)能量：
120μJ（開），270μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
19ns/91ns
- 測(cè)試條件：
400V，10A，22 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
- 描述：
IGBT 650V 10A TO-220AB
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO-220 |
1612 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
1509+ |
TO-220 |
93 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
12500 |
ST系列在售,可接長(zhǎng)單 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購 |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
21+ |
TO-220 |
9800 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2022+ |
5000 |
只做原裝,價(jià)格優(yōu)惠,長(zhǎng)期供貨。 |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
ST |
新批次 |
TO-220 |
3000 |
詢價(jià) | |||
ST |
23+ |
TO-220 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) |
