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STGP15M120F3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
STGP15M120F3 |
參數(shù)屬性 | STGP15M120F3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, |
功能描述 | Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
429.85 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-5 11:22:00 |
STGP15M120F3規(guī)格書詳情
STGP15M120F3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGP15M120F3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Features
? 10 μs of minimum short-circuit withstand time
? VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
? Tight parameter distribution
? Positive VCE(sat) temperature coefficient
? Low thermal resistance
? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop
structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal
balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and
the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)
temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling
operation.
Applications
? Industrial drives
? UPS
? Solar
? Welding
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGP15M120F3
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,15A
- 開關(guān)能量:
550μJ(開),850μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
26ns/122ns
- 測試條件:
600V,15A,22 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023+ |
Si |
6000 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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