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STGW40H120DF2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW40H120DF2
廠商型號

STGW40H120DF2

參數(shù)屬性

STGW40H120DF2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 40A HS TO-247

功能描述

Trench gate Field-Stop IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

358.45 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 12:13:00

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STGW40H120DF2規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.1V@IC=40A

·High Current Capability

·High Input Impedance

·Very fast recovery antiparallel diode

APPLICATIONS

·Uninterruptible power supply

·Welding machines

·Photovoltaic inverters

·High frequency converters

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGW40H120DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    1mJ(開),1.32mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    18ns/152ns

  • 測試條件:

    600V,40A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A HS TO-247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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