首頁>STGW40M120DF3>規(guī)格書詳情

STGW40M120DF3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW40M120DF3
廠商型號

STGW40M120DF3

參數(shù)屬性

STGW40M120DF3 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 80A 468W TO-247

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
IGBT 1200V 80A 468W TO-247

絲印標(biāo)識

G40M120DF3

封裝外殼

TO-247 / TO-247-3

文件大小

1.036579 Mbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-20 17:10:00

STGW40M120DF3規(guī)格書詳情

STGW40M120DF3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGW40M120DF3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGW40M120DF3

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    1.5mJ(開),2.25mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    35ns/140ns

  • 測試條件:

    600V,40A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 80A 468W TO-247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
21+
TO-247-3
10000
全新原裝現(xiàn)貨
詢價
ST/意法半導(dǎo)體
TO-247-3
36900
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價
ST
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
ST
23+
TO-247-3
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-247-3
8860
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價
ST
23+
TO-247-3
10000
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價
ST
24+
TO-247-3
7188
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術(shù)支持
詢價
STMicroelectronics
22+
600
原裝現(xiàn)貨 支持實單
詢價
ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-247-3
10000
只有原裝,原裝,假一罰十
詢價
ST/意法
22+
TO-247-3
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
詢價