首頁>STGW75H65DFB2-4>芯片詳情

STGW75H65DFB2-4 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGW75H65DFB2-4參考圖片

圖片僅供參考,請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:STGW75H65DFB2-4品牌:ST

STGW75H65DFB2-4是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產封裝TO-247-4的STGW75H65DFB2-4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    STGW75H65DFB2-4

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導體集團

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    STGW75H65DFB2-4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HB2

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,75A

  • 開關能量:

    992μJ(開),766μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    22ns/121ns

  • 測試條件:

    400V,75A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-4

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-4

  • 描述:

    TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7

供應商

  • 企業(yè):

    深圳市浩睿澤電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    羅 浩

  • 手機:

    19854773352

  • 詢價:
  • 電話:

    14789300331

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號星河世紀A棟2003F19