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STGWT20IH125DF分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWT20IH125DF
廠商型號

STGWT20IH125DF
參數屬性

STGWT20IH125DF 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 1250V 40A 259W TO-3P
功能描述

1250 V, 20 A IH series trench gate field-stop IGBT
IGBT 1250V 40A 259W TO-3P
絲印標識

G20IH125DF
封裝外殼

TO-3P / TO-3P-3，SC-65-3
文件大小

1.35779 Mbytes
頁面數量

17 頁
生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-7 12:14:00
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STGWT20IH125DF規(guī)格書詳情

STGWT20IH125DF屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGWT20IH125DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Description

These IGBTs are developed using an advanced

proprietary trench gate field-stop structure and

performance is optimized in both conduction and

switching losses. A freewheeling diode with a low

drop forward voltage is co-packaged. The result is

a product specifically designed to maximize

efficiency for any resonant and soft-switching

application.

Features

? Designed for soft commutation only

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? Minimized tail current

? VCE(sat) = 2.0 V (typ.) @ IC = 15 A

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Very low VF soft recovery co-packaged diode

? Low thermal resistance

? Lead free package

Applications

? Induction heating

? Microwave oven

? Resonant converters

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    STGWT20IH125DF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，15A

  • 開關能量：

    410μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    -/106ns

  • 測試條件：

    600V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 1250V 40A 259W TO-3P

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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