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STGYA120M65DF2AG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGYA120M65DF2AG
廠商型號(hào)

STGYA120M65DF2AG

參數(shù)屬性

STGYA120M65DF2AG 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT

功能描述

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package
IGBT

絲印標(biāo)識(shí)

G120M65DF2AG

封裝外殼

Max247 / TO-247-3

文件大小

2.18639 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 10:58:00

STGYA120M65DF2AG規(guī)格書(shū)詳情

STGYA120M65DF2AG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGYA120M65DF2AG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? AEC-Q101 qualified

? 6 μs of short-circuit withstand time

? VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A

? Tight parameter distribution

? Safer paralleling

? Positive VCE(sat) temperature coefficient

? Low thermal resistance

? Soft and very fast recovery antiparallel diode

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Applications

? Heating system

? HV battery disconnect and fire-off system

? Main inverter (electric traction)

Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop

structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal

balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss

and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)

temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling

operation.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGYA120M65DF2AG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    M

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.15V @ 15V,120A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.8mJ(開(kāi)),4.41mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    66ns/185ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,120A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MAX247?

  • 描述:

    IGBT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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