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STH12N120K5-2AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STH12N120K5-2AG
廠商型號

STH12N120K5-2AG

功能描述

Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ω typ., 7 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK?2 package

絲印標(biāo)識

12A120K5

封裝外殼

H2PAK-2

文件大小

405.01 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-6 13:36:00

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STH12N120K5-2AG規(guī)格書詳情

Features

? AEC-Q101 qualified

? Industry’s lowest RDS(on) x area

? Industry’s best FoM (figure of merit)

? Ultra-low gate charge

? 100 avalanche tested

Applications

? Switching applications

Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh

K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is

a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications

requiring superior power density and high efficiency.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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