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STL11N60M2-EP分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

STL11N60M2-EP
廠商型號

STL11N60M2-EP
參數(shù)屬性

STL11N60M2-EP 封裝/外殼為8-PowerVDFN；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
功能描述

N-channel 600 V, 0.600 Ω typ., 5.5 A MDmesh? M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT? 5x6 HV package
MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV
絲印標識

11N60M2E
封裝外殼

PowerFLAT / 8-PowerVDFN
文件大小

618.25 Kbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-11 12:11:00

STL11N60M2-EP規(guī)格書詳情

STL11N60M2-EP屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STL11N60M2-EP晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

? Extremely low gate charge

? Excellent output capacitance (COSS) profile

? Very low turn-off switching losses

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Applications

? Switching applications

Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh?

M2 enhanced performance (EP) technology. Thanks to its strip layout and an

improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance, optimized switching

characteristics with very low turn-off switching losses, rendering it suitable for the

most demanding very high frequency converters.

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STL11N60M2-EP

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 系列：

    MDmesh? M2-EP

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    5.5A（Tc）

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應商器件封裝：

    PowerFlat?（5x6）HV

  • 封裝/外殼：

    8-PowerVDFN

  • 描述：

    MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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