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DAM4N150S	文件：247.78 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
FV4N150	文件：244.37 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL1500V-5-ohm-4ATO-220FHVeryHighVoltagePowerMESH-TMMOSFET Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESHOVERLAY?process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofveryhighvoltagePowerMOSFETswithoutstandingperformances. Thestrengthenedlayoutcoupledwiththecompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
FV4N150	文件：249.12 Kbytes Page：13 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-TO-220FHVeryhighvoltagePowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
HM4N150T	文件：730.15 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IXTA4N150HV	文件：204.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH4N150	文件：347 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·PulseCircuits ·CapacitorDischargeApplications ·HighVoltagePowerSupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTH4N150	文件：118.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTJ4N150	文件：160.02 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT4N150HV	文件：204.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MP4N150	文件：479.42 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical18pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
MP4N150-GA-BR	文件：479.42 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS ?Highefficiencyswitch modepowersupplies ?Electroniclampballasts basedonhalfbridge ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?LowCrss(typical18pF) ?Fastswitching ?100%avalanchetested ?Improveddv/dtcapability ?RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
P4N150	文件：762.25 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STFV4N150	文件：249.12 Kbytes Page：13 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-TO-220FHVeryhighvoltagePowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STFV4N150	文件：244.37 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL1500V-5-ohm-4ATO-220FHVeryHighVoltagePowerMESH-TMMOSFET Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESHOVERLAY?process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofveryhighvoltagePowerMOSFETswithoutstandingperformances. Thestrengthenedlayoutcoupledwiththecompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STFV4N150	文件：459.62 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-PowerMESH??PowerMOSFETTO-220-TO-220FH-TO-247-TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STFW4N150	文件：335.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrentID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STFW4N150	文件：459.62 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-PowerMESH??PowerMOSFETTO-220-TO-220FH-TO-247-TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STFW4N150	文件：762.25 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP4N150	文件：332.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STP4N150	文件：762.25 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	STP4N150IC	ST/意法	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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更多STP4N150IC供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-2 11:00:00

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