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STP6NC80Z中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STP6NC80Z
廠商型號

STP6NC80Z

功能描述

N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 5.4A TO-220/FP/D?PAK/I?PAK Zener-Protected PowerMESH??II MOSFET

文件大小

511.05 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-9 8:00:00

STP6NC80Z規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The third generation of MESH OVERLAY? Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher rug gedness performance as requested by a large variety of single-switch applications.

■ TYPICAL RDS(on) = 1.5?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY GATE-TO- SOURCE ZENER DIODES

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE

■ GATE CHARGE MINIMIZED

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STP6NC80Z

  • 功能描述:

    MOSFET TO-220AB

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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