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STUD10N25

Super high dense cell design for low RDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

ECF10N25

HIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS

[Profusion] 250VN/PLATERALMOSFETS HIGHPOWER25WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

FNK10N25B

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

MTM10N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP10N25

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModesiliconGate TMOSPOWERFET10AMPERESRDS(on)=0.45OHM250VOLTS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

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更多STUD10N25供應(yīng)商 更新時間2025-1-6 15:56:00

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