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SVSP7N60FJDD2中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SVSP7N60FJDD2 |
| 功能描述 | 7A, 600V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-220FJD-3L |
| 文件大小 |
344.56 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Silan Microelectronics Joint-stock |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
SILAN【士蘭微】 |
| 中文名稱 | 杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-5 14:22:00 |
SVSP7N60FJDD2規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
SVSP7N60F(FJD)(D)D2 is an N-channel enhancement mode high
voltage power MOSFETs produced using Silan’s super junction MOS
technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It
leads the design engineers to their power converters with high
efficiency, high power density, and superior thermal behavior.
Furthermore, it’s universal applicable, for example, it is suitable for
hard and soft switching topologies.
FEATURES
? 7A,600V, RDS(on)(typ.)=0.48?@VGS=10V
? New revolutionary high voltage technology
? Ultra low gate charge
? Enhanced avalanche capability
? Extreme dv/dt rated
? High peak current capability
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN |
24+ |
* |
37 |
C08-場(chǎng)效應(yīng)管 |
詢價(jià) | ||
SILAN/士蘭微 |
21+ |
TO220 |
38000 |
詢價(jià) | |||
SAMSUNG |
24+ |
QFP |
6500 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
SILAN/士蘭微 |
22+ |
DFN |
10000 |
原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!13246658303 |
詢價(jià) | ||
SILAN/士蘭微 |
TO220 |
90000 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
SAMSUNG |
24+ |
QFP |
71 |
詢價(jià) | |||
SILAN/士蘭微 |
24+ |
TO-220 |
126000 |
專營(yíng)SILAN士蘭微原裝保障 |
詢價(jià) | ||
SILAN |
22+ |
PDFN8 |
621 |
全新原裝只做自己庫存只做原裝 |
詢價(jià) | ||
SILAN/士蘭微 |
2052+ |
TO220 |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
80000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) |
