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SW50N06V2中文資料芯派科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SW50N06V2
廠商型號(hào)

SW50N06V2

功能描述

N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET

文件大小

593.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

SEMIPOWER芯派科技

中文名稱(chēng)

芯派科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-19 9:02:00

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SW50N06V2規(guī)格書(shū)詳情

General Description

This power MOSFET is produced with advanced technology of SAMWIN.

This technology enable the power MOSFET to have better characteristics, including fast switching time, low on resistance, low gate charge and especially excellent avalanche characteristics.

Features

● High ruggedness

● Low RDS(ON) (Typ 11m?)@VGS=10V

(Typ 14m?)@VGS=4.5V

● Low Gate Charge (Typ 59nC)

● Improved dv/dt Capability

● 100 Avalanche Tested

● Application:Electronic Ballast, Motor Control Synchronous Rectification, Inverter

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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