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TDTC124E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

TDTC124E
廠商型號

TDTC124E

參數(shù)屬性

TDTC124E 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN

功能描述

Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type

文件大小

225.45 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-24 20:00:00

TDTC124E規(guī)格書詳情

1. Applications

? Switching

? Inverter Circuits

? Driver Circuits

2. Features

(1) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce

system size and assembly time.

(2) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accommodate various circuit designs.

(3) Complementary to TDTA124E

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TDTC124E,LM

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    49 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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