TDTC124E分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
TDTC124E |
參數(shù)屬性 | TDTC124E 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN |
功能描述 | Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type |
文件大小 |
225.45 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-24 20:00:00 |
TDTC124E規(guī)格書詳情
1. Applications
? Switching
? Inverter Circuits
? Driver Circuits
2. Features
(1) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce
system size and assembly time.
(2) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accommodate various circuit designs.
(3) Complementary to TDTA124E
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
TDTC124E,LM
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN - 預偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
49 @ 5mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 500μA,10mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500nA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商器件封裝:
SOT-23-3
- 描述:
PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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OXFORD |
23+ |
NA/ |
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LG |
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TDI |
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