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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
TS6601HK	文件：261.92 Kbytes Page：7 Pages	Tact Switch Series (6x6mm)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
6601	文件：205.28 Kbytes Page：2 Pages	ComfortProbewithRemovable4mmBananaPlugAdapter	POMONA Pomona Electronics	POMONA
ADRF6601	文件：640.11 Kbytes Page：24 Pages	750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADRF6601	文件：834.01 Kbytes Page：32 Pages	1200MHzto3600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADRF6601-EVALZ	文件：640.11 Kbytes Page：24 Pages	750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AN-6601	文件：654.75 Kbytes Page：4 Pages	LowNoiseJFETAmplifiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
AO6601	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO6601	文件：2.06917 Mbytes Page：10 Pages	N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AO6601	文件：482.71 Kbytes Page：9 Pages	30VComplementaryMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO6601	文件：2.72053 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AO6601	文件：724.96 Kbytes Page：11 Pages	NPChannelMOSFET Features N-Ch: VDS(V)=30V ID=3.4A(VGS=10V) RDS(ON)60m(VGS=10V) RDS(ON)70m(VGS=4.5V) RDS(ON)90m(VGS=2.5V) P-Ch: VDS(V)=-30V ID=-2.3A(VGS=-10V) RDS(ON)115m(VGS=-10V) RDS(ON)150m(VGS=-4.5V) RDS(ON)200m(VGS=-2.5V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
AO6601	文件：915.11 Kbytes Page：11 Pages	NPChannelMOSFET GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsformahigh-speedpower inverter,suitableforamultitudeofapplications. Features N-Ch: VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
AO6601-HF	文件：3.6273 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AO6601L	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AWU6601	文件：622.02 Kbytes Page：14 Pages	HELP3TMBand1/WCDMA/TD-SCDMA3.4V/28.25dBmLinearPAModule	ANADIGICS ANADIGICS, Inc	ANADIGICS
CEB6601	文件：434.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-19A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB6601	文件：1.59421 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CED6601	文件：358.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED6601A	文件：428.04 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6601	文件：345.33 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
TS6601HK
功能描述：
Tact Switch Series(6x6mm)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳中芯器材有限公司	TS66105ZJ022	SHOU HAN(首韓)	23+	彎插-4P,7.3x6.1mm	1000	原裝現(xiàn)貨/專做開關(guān)15年	詢價(jià)
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	TS6610CJ	SHOU HAN(首韓)	21+	插件	35000	航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方	詢價(jià)
深圳市弘揚(yáng)芯城科技有限公司	TS6610CJ	SHOU HAN(首韓)	23+	插件	6000	誠信服務(wù)，絕對原裝原盤	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	TS6610CJ		24+	N/A	56000	一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市芯祺盛科技有限公司	TS6612CJ250GF009	SHOU HAN	24+	*	20	C14-開關(guān)	詢價(jià)
北京京北通宇電子元件有限公司	TS6612CJ250GF009	SHOU HAN	24+	con	12	現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格https://www.jbchip.com/index	詢價(jià)

更多TS6601HK供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 10:20:00

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