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UN0605N013-T52

Marking：UN0605N；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)TYP=13mQ@VGS=10V Lowgatecharge(typical33nC) Highruggedness Fastswitching GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Improveddv/dtcapability

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

UN0608N6R6-T52

Marking：UN0608N；Package：TO-252；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features UseTrenchMOSFETTechnology HighDensityCellDesignForLowRDS(ON) Material:HalogenFree ReliableandRugged AvalancheRated LowLeakageCurrent Applications PWMApplications LoadSwitch PowerManagementinPortable/DesktopPCs DC/DCConversion

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

UN065NN026-S08

Marking：UN065NN；Package：SOP-8；Dual N-Channel Advanced Power MOSFET

Feature LowOn-Resistance FastSwitching Lead-Free,Hg-Free,GreenProduct Applications PowerSwitchingApplication UninterruptiblePowerSupply HardSwitchedandHighFrequencyCircuits

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

UN067NN016-S08

Marking：UN067NN；Package：SOP-8；Dual N-Channel Advanced Power MOSFET

Features LowOn-Resistance FastSwitching Applications PowerSwitchingApplication UninterruptiblePowerSupply HardSwitchedandHighFrequencyCircuits

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

UN0805-120H

MULTILAYER CHIP VARISTORS

Feature VaristorVoltagefrom3.3Vto56V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-40℃-125℃ SuitableforESDprotection

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

UN0805-180H

MULTILAYER CHIP VARISTORS

Feature VaristorVoltagefrom3.3Vto56V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-40℃-125℃ SuitableforESDprotection

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

UN0805-210H

MULTILAYER CHIP VARISTORS

Feature VaristorVoltagefrom3.3Vto56V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-40℃-125℃ SuitableforESDprotection

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

UN0805-240H

MULTILAYER CHIP VARISTORS

Feature VaristorVoltagefrom3.3Vto56V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-40℃-125℃ SuitableforESDprotection

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

UN0805-270H

MULTILAYER CHIP VARISTORS

Feature VaristorVoltagefrom3.3Vto56V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-40℃-125℃ SuitableforESDprotection

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

UN0805-300H

MULTILAYER CHIP VARISTORS

Feature VaristorVoltagefrom3.3Vto56V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-40℃-125℃ SuitableforESDprotection

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

替換型號(hào)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    UN1110

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    AN1L4Z,DTA144TS,KSR2012,2SA1509,

  • 最大耗散功率：

    0.4W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    A-68

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.4

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    UN

  • 制造商：

    Daylight

  • 功能描述：

    13W Naturalight™ Replacement Tube for UN1017 Compact Lamp

  • 制造商：

    DAYLIGHT

  • 功能描述：

    13W NATURALIGHT TUBE FOR UN1017

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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16900
正規(guī)渠道,只有原裝!
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只有原裝原裝,支持BOM配單
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查現(xiàn)貨到京北通宇商城
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正品:QQ;2987726803
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更多UN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-7 16:31:00

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