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UPA2725UT1A-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2725UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=13A) RDS(on)2=7.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=13A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2580pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2725UT1A-E1-AZ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2725UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=13A) RDS(on)2=7.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=13A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2580pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

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更多UPA2725UT1A-E1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 15:00:00

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