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UPA806T-T1 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 RENESAS/瑞薩

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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  • 廠家型號：

    UPA806T-T1

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫存數(shù)量：

    360000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-363

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-1-9 10:33:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：UPA806T-T1品牌：RENESAS/瑞薩

專業(yè)供應MOS/LDO/晶體管/有大量價格低

  • 芯片型號：

    UPA806T-T1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    209.12 kb

  • 資料說明：

    MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    UPA806T-T1

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    12GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    75 @ 10mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應商器件封裝：

    6-SO

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市中福國際管理有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機：

    13266709901

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82571134

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場B座22F

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