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V30100CI_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多V30100CI_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 11:10:00