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VB20120S-M3SLASH8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage)

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多VB20120S-M3SLASH8W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-18 17:30:00