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VB30M120C-E3

Trench MOS Schottky technology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30M120C-E3SLASH4W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30M120C-E3SLASH8W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30M120C-E3/4W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30M120C-E3/8W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30M120C-E3/4W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VB30M120C-E3/8W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多VB30M120C-E3供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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