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VB30M120C-E3SLASH4W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多VB30M120C-E3SLASH4W供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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