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VNP20N07-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-220-3 類別：集成電路（IC）配電開關(guān)，負載驅(qū)動器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNB20N07	文件：153.12 Kbytes Page：13 Pages	??MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNP20N07FI,VNB20N07andVNV20N07aremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVlPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
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VNP20N07	文件：332.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=70V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
VNP20N07	文件：136.78 Kbytes Page：11 Pages	??MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNP20N07isamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharsh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
VNP20N07-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負載驅(qū)動器
系列：
OMNIFET?, VIPower?
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
開關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
1
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
低端
輸出類型：
N 通道
接口：
開/關(guān)
電壓 - 負載：
55V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
14A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
50 毫歐（最大）
輸入類型：
非反相
特性：
狀態(tài)標志
故障保護：
限流（固定），超溫，過壓
安裝類型：
通孔
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
封裝/外殼：
TO-220-3
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多VNP20N07-E供應(yīng)商更新時間2024-10-25 14:49:00

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